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索尼携手Micron公布ReRAM最新成

发布时间:2019-08-15 17:35:00

  目前业界正在研制一种新型的,就是被命名为ReRAM的电阻式内存,这种存储芯片既拥有DRAM水平的读写速度,又可以像NAND闪存那样在断电后也能保存数据,可以说是整合了两者的优点于一身。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效,日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果,称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。

  索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb(2GB)的ReRAM芯片,据称这款芯片基于27nmCMOS工艺打造,可以用于替换现有的DDRSDRAM芯片,可用于移动设备或者是PC上。按照公布的信息称,这颗芯片的实际性能是读取900MB/s,写入180MB/s,和它读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能已经非常接近,进入量产、商品化的可能性很高。

  另外根据两者公布的成品来看,这款ReRAM芯片应该是索尼早前研究成果的延续,毕竟索尼早在2011年就公布了小容量型的样品,而Micron早前的研发精力则放在相变存储芯片PRAM,现在的ReRAM产品应该是 索尼研制 和 Micron制造 的共同成果。

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